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漏（lòu）源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道（dào）

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220-3/-55~125

描述：

600V，190mΩ，20A，N沟道（dào）基于超级结（jié）技术的功（gōng）率MOSFET


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